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MSA-650 IRIS顯微式激光測振儀

使用光學(xué)測試硅封裝MEMS器件內(nèi)部振動特性

　　MEMS器件的動態(tài)特性測試和機(jī)械響應(yīng)可視化對于產(chǎn)品開發(fā)、故障排除和有限元模型驗證來說非常重要。Polytec公司的MSA顯微式激光測振儀能快速、準(zhǔn)確地測試顯微結(jié)構(gòu)的面外振動(OOP)和面內(nèi)振動(IP)。全新的MSA-650 IRIS顯微式激光測振儀甚至可以透過完整的微型硅密封器件進(jìn)行測試，如慣性傳感器，MEMS麥克風(fēng)，壓力傳感器等。     

典型應(yīng)用  　

　　·  慣性傳感器，如加速度計和陀螺儀

　　·  微機(jī)電傳感器和致動器 (MEMS) 

　　·  打印機(jī)噴墨頭

　　·  壓力傳感器薄膜

　　·  耳機(jī)、微型鏡頭等



需要報價

亮點

· 通過硅封裝器件的不同層測試MEMS動態(tài)特性

· 實時面外振動測試，最大帶寬高達(dá)25 MHz

· 亞皮米級面外振動位移分辨率

· 易于集成至生產(chǎn)線上的自動測試系統(tǒng)(兼容商用探針臺)

· 頻閃法測試面內(nèi)振動，帶寬高達(dá)2.5 MHz

· 更好地分離器件的各個層

· MEMS器件的最終有限元模型驗證


更好地分離器件的各個層


MSA-650 IRIS Micro System Analyzer principle measuring through MEMS caps

       


MSA-650 IRIS測試系統(tǒng)包括控制器、帶有額外參考通道的信號發(fā)生器，超高精度紅外光源的光學(xué)頭和強(qiáng)大的配套軟件包。其專用的紅外相機(jī)和低相干SLD源，是在其透過硅帽獲取完整硅封裝結(jié)構(gòu)在工作條件下的整個層制結(jié)構(gòu)的動態(tài)特性的關(guān)鍵。


硅封裝MEMS器件的模態(tài)測試


2-axis accelerometer (FHG ENAS) pure SWIR camera image plus operational deflection shapes captured with scanning laser Doppler vibrometer


由于硅在波長為1050nm以上的近紅外光譜中是透明的，基于紅外干涉儀的振動測量技術(shù)使得獲取密封MEMS器件最真實和最有代表性的振動特性成為可能。

       Polytec全新的最先進(jìn)的且已獲得專利技術(shù)的MSA系統(tǒng)能確保最佳數(shù)據(jù)質(zhì)量，更好的分離MEMS器件的各個層。MSA-650 IRIS顯微式激光測振儀內(nèi)置專用紅外相機(jī)和低相干SLD源，是目前世界上唯一能透過硅封裝結(jié)構(gòu)獲取完整動態(tài)特性的系統(tǒng)，其實時面外振動帶寬高達(dá)25MHz，面內(nèi)振動分辨率低至30nm。


采用領(lǐng)先的振動分析技術(shù)


Relative intensity contribution of reflections from different surfaces (left) and out of focus light intensity over distance of reflection origin for different optical configurations (right)



為了利用激光多普勒振動測量(LDV)對封裝MEMS器件進(jìn)行深入研究，需要了解硅的光學(xué)特性。雖然硅對可見光是不透明的，但它在從波長1050nm起的近紅外范圍內(nèi)則顯示出良好的透射性。然而也有極限性，在波長為1550 nm時硅的折射率高達(dá)3.4，這導(dǎo)致在器件邊界處有相當(dāng)大的菲涅耳反射。

Poyltec采用低相干光來提高精度，該技術(shù)已榮獲國際專利。與激光相反，超輻射二極管發(fā)出的低相干光只有在干涉儀中的光路與光源的相干長度相等時才會產(chǎn)生干涉，從而將焦點處以外的光排除在外。這一原理被用于白光干涉儀或光學(xué)相干層析術(shù)，現(xiàn)在首次用于激光多普勒測振儀(LDV)。對MEMS器件進(jìn)行掃描測試時，帶寬高達(dá)25 MHz，振幅分辨率達(dá)100 fm/ Hz。